Silicium epitaksi substrater

Silicium epitaksi substrater

Disse siliciumepitaksiske substrater er omhyggeligtdesignet til epitaksial lagvækst, der fungerer som den krystallinske skabelon med høj-renhed til avanceret Power og Logic enhedsintegration. Konstrueret ved hjælp af præcise Czochralski (CZ) træk og ultra-rene poleringssekvenser sikrer vores substrater et kompromisløst overflademiljø. Denne glathed på atomare-niveau er det grundlæggende krav for at opnå homoepitaksial og heteroepitaksial aflejring af høj-kvalitet i den næste generation af halvledere.

Optimeret overflade til afsætning af-høj kvalitet:Dekontrolleret overflade- og krystalorienteringer optimeret til at give et ideelt kernedannelsesmiljø. Ved strengt at styreFra-skær vinkel(fejlorientering) med milligraders præcision, letter vi en trin-flowvækstmekanisme. Dette minimerer gittermismatch og forhindrer dannelsen af ​​stablingsfejl og gevinddislokationer, hvilket er afgørende for at stabilisere de elektriske egenskaber af det efterfølgende epi-lag.

Kontrolleret resistivitet for enhedsisolering:Disse substrater er specielt udviklet til Power IC og analoge applikationerstabile materialeegenskabermed en meget ensartet dopingprofil. Dette giver mulighed for præcis kontrol over substratet-til-epi-grænsefladen, forbedrer enhedsisolering og reducerer parasitisk kapacitans i høj-frekvente og-højspændingsmiljøer.

Termisk modstandsdygtighed med høj-renhed:Hvert substrat er styret af stive tolerancer for interstitiel oxygen og metalliske urenheder for at forhindre auto-doping og termisk induceret skævhed. Dens overlegne mekaniske styrkeunderstøtter flere behandlingstrin med minimal variation, opretholdelse af geometrisk nøjagtighed under høje-temperatur-CVD-cyklusser (Chemical Vapor Deposition) og hurtig termisk behandling (RTP).

Populære tags: silicium epitaxi substrater, Kina silicium epitaxy substrater producenter, leverandører, fabrik