-
![Affaset kant wafer]()
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer tynd film]()
Føj til forespørgsel -
![Silicon Wafer Device Base]()
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer pladesubstrat]()
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer tyndt lag]()
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer skæresubstrat]()
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer base materiale]()
Føj til forespørgsel -
![Silicon Wafer Silicon Composite]()
Silicon Wafer Silicon Composite
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer bundet materiale]()
Silicium wafer bundet materiale
Føj til forespørgsel -
![Halvleder silicium wafer substrat]()
Halvleder silicium wafer substrat
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer overflade]()
Føj til forespørgsel -
![Silicium wafer skive substrat]()
Føj til forespørgsel
Virksomhedsprofil
Zhonggui Semiconductor etableret i 2009, er vokset fra sine rødder i Yangzhou Zhongding Semiconductor Company til at blive førende i halvlederindustrien. Ved at udnytte teknisk innovation fra Nanos Institute of the Chinese Academy of Sciences specialiserer vi os i produktion og teknologiske fremskridt af halvledersiliciumwafers. Vores dedikation har opdyrket et fornemt teknisk team, der har sikret vores position som førende i branchen.
Hvorfor vælge os
Produktionsudstyr
Vi driver et renrumsanlæg i klasse 100, udstyret med skæremaskiner, slibemaskiner, skråmaskiner, kemisk-mekaniske polermaskiner, skæremaskiner og meget mere. Vi er dedikerede til at give vores kunder professionelle, tilpassede tjenester.
Professionelt team
Vi har en global rækkevidde med vores produkter, der sælges i flere lande, herunder USA, Rusland, Storbritannien, Frankrig og så videre. Vi er forpligtet til at samarbejde med vores kunder for at fremme gensidig udvikling og opnå win-win-partnerskaber.
Certifikat
Med avanceret udstyr og et stærkt ISO 9001 kvalitetsstyringssystem sikrer vi skræddersyede løsninger af høj-kvalitet til vores kunder.
Vores fabrik
Silicore Technologies Ltd. ligger i Yangzhous industrizone Tianshan Town og er en direkte kildefabrik, der fokuserer på at levere tilpassede siliciumbaserede-produkter.
Hvad er Silicon Wafer?
Siliciumwafer er et materiale, der bruges til fremstilling af halvledere, som kan findes i alle typer elektroniske enheder, der forbedrer menneskers liv. Silicium kommer på andenpladsen som det mest almindelige grundstof i universet; den bruges mest som halvleder i teknologi- og elektronisk sektor.
De fleste mennesker har haft chancen for at støde på en ægte siliciumwafer i deres liv. Denne super-flade disk er raffineret til en spejllignende overflade. Derudover er den også lavet af subtile overfladeuregelmæssigheder, som gør den til den fladeste genstand i hele verden.
Det er også ekstremt rent, fri for urenheder og mikro-partikler, kvaliteter, der er afgørende for at gøre det til det perfekte substratmateriale til moderne halvledere.
Fordele ved Silicon Wafer
Let at fremstille
Tyndfilmssolceller er nemme at fremstille, fordi de bruger rigelige og ikke-giftige råmaterialer sammenlignet med konventionelle solceller. Derudover kan den bruges i mange applikationer på grund af dens tynde-filmteknologi. Disse celler fremstilles ved at tilføje et tyndt lag halvledermateriale på et substrat ved hjælp af en metode, der kaldes kemisk dampaflejring. Materialerne, der bruges til en aflejring, skal være stærke, men lette absorberende midler for at tillade fremstilling af store-volumener.
Miljøvenlig
Fremstillingsprocessen af korrekt designede tyndfilmssiliciumsolceller er ikke-forurenende, hvilket betyder, at den er miljøvenlig.
Lavenergi tilbagebetalingstid
At producere tyndfilmssolceller kræver kun et meget lavt energiforbrug, hvilket gør det muligt at genopfylde den brugte energi på mindre end et år. Mens wafer-baserede siliciumteknologier tager dobbelt så lang tid, det kræves at genopbygge tyndfilmssolteknologier.
Temperaturafhængigheden er lav
Sammenlignet med wafer-baserede siliciumsolceller har tyndfilmsolceller lavet af tynde siliciumwafers meget lav-temperaturafhængighed, når det kommer til PV-ydeevne. Temperaturområdet, der anvendes under fremstillingen til tyndfilmssolceller, er også lavere sammenlignet med andre solteknologier, hvilket gør det fordelagtigt til afsætning af tynde solceller på tynde polymersubstrater.
Type silicium wafer
Udoped silicium wafers
Hvis du leder efter at finde silicium i sin rene krystallinske form, vil du gerne tjekke den udopede siliciumwafer. Også omtalt som en iboende silicium wafer, denne type wafer er den perfekte halvleder.
Enkelt krystal wafers
Disse wafers er lavet af en enkelt krystal af silicium. De er den mest almindelige type siliciumwafer og bruges til en række forskellige applikationer, herunder integrerede kredsløb (IC'er), solceller og lys-dioder (LED'er).
Polykrystallinske wafere
Disse wafers er lavet af flere krystaller af silicium, der er bundet sammen. De er billigere end enkeltkrystalskiver, men de er også mindre ønskværdige til nogle applikationer, fordi de kan have defekter, der kan påvirke enhedens ydeevne.
Amorfe silicium wafers
Disse wafers er lavet af en ikke-krystallinsk form for silicium. De er billigere end enkeltkrystal og polykrystallinske wafere, men de er også mindre ønskelige til de fleste anvendelser, fordi de har lavere elektrisk ledningsevne og ikke kan bruges til at lave IC'er.
Hvad er silicium wafer materiale?
Som rygraden i halvlederfremstilling danner siliciumwafer-materiale grundlaget for at bygge integrerede kredsløb. Siliciumwafers er tynde skiver skåret af store enkeltkrystal siliciumbarrer op til 2 meter høje og 30 cm brede.
Halvledende
Dens tetravalente atomkonfiguration tillader præcis doping for at skabe n-type- og p-type-områder til bygning af transistorenheder.
Rigelig
Silicium er let tilgængeligt som det næstmest udbredte grundstof i jordskorpen - primært i form af siliciumdioxid eller silica.
Kan fremstilles
Årtiers ekspertise inden for rensning, krystalvækst og waferproduktion i massiv skala.
Skalerbar
Siliciumwaferdiametrene er skaleret fra 1 tomme til 8 tommer (200 mm) og nu 12 tommer (300 mm), hvilket muliggør flere matricer pr. wafer.
Anvendelse af silicium wafer
Integrerede kredsløb (IC'er)
Siliciumwafers er lærredet til skabelsen af integrerede kredsløb, rygraden i elektroniske enheder. Siliciums evne til at lede elektricitet og give en stabil platform for mikroelektroniske komponenter har drevet fremskridt inden for databehandling, kommunikation og digital teknologi.
Mikroelektronik og nanoteknologi
Siliciumwafers er uundværlige inden for mikroelektronik og nanoteknologi, hvor den præcise mønstre af kredsløb i mikroskopiske skalaer er afgørende. Miniaturiseringen af elektroniske komponenter, lettet af siliciumwafers, har ført til udviklingen af stadig mere kraftfulde og kompakte enheder.
Transistorer og halvlederenheder
Fremstillingen af transistorer, dioder og andre halvlederenheder er stærkt afhængig af siliciumwafers. Disse enheder danner igen byggestenene i elektroniske systemer, hvilket muliggør signalbehandling, forstærkning og kontrolfunktioner i en lang række applikationer.
Solceller
Siliciumwafers spiller en central rolle i solenergiindustrien. Som substrat for fotovoltaiske celler omdanner siliciumskiver sollys til elektricitet, hvilket bidrager til væksten af vedvarende energiløsninger.
Processen af silicium wafer
Ingot Vækst
Dyrkning af en siliciumbarre kan variere i tid fra en uge til en måned afhængigt af faktorer som størrelse, kvalitet og specifikation. Mere end 75% af siliciumwafers vokser via Czochralski (CZ) metoden, hvor bidder af jomfruelig polykrystallinsk silicium placeres i en kvartsdigel sammen med små mængder af grundstoffet doteringsmidler. Tilsætningen af dopingstoffer giver de elektriske egenskaber, der er nødvendige for at dyrke ingot.
Udskæring
Når barren har gennemgået sin fulde vækstproces, males den til en størrelse, der er lidt større end målstørrelsen på den endelige siliciumwafer i diameter. Efter at have bestået en række inspektioner skæres barren i skiver ved hjælp af en diamantkantsav. Diamantkantsaven bruges ikke kun til at skære skiverne i skiver, så de er lidt tykkere end målstørrelsen, men også til at hjælpe med at minimere skader på siliciumwaferen.
Lapping
Efter at waferen er blevet skåret i skiver, bliver den lappet. Lappeprocessen fjerner savmærker og overfladefejl fra waferen. Det tynder også waferen ud, hvilket aflaster den stress, der er akkumuleret i udskæringsprocessen.
Rensning
Efter lapning gennemgår siliciumskiverne processen med at blive renset og ætset. Natriumhydroxid eller eddikesyre og salpetersyre afhjælper eventuelle mikroskopiske revner og/eller overfladeskader, der kan være opstået under lapningen.
Polering
Det sidste og uden tvivl mest afgørende trin er poleringen af siliciumwaferen. Poleringsprocessen foregår i et rent rum, hvor arbejderne bærer renrumsdragter, der dækker hele deres krop. En ventilator blæser også, der blæser alle små partikler væk, der måtte have samlet sig, før de kommer ind i det rene rum.
Trin-for-trinvis vejledning til skæring af siliciumwafers
Skæring af siliciumskiver er en afgørende proces i forskellige industrier, herunder elektronik, halvledere og solpaneler. Det kræver præcision og omhyggelig udførelse at sikre de ønskede dimensioner og kvalitet af snittet.
Trin 1: Rengøring af siliciumwaferen
Før du skærer siliciumwaferen, er det vigtigt at rengøre det grundigt. Renlighed er afgørende, da enhver forurening kan påvirke kvaliteten af snittet.
Trin 2: Markering af skærelinjen
Når siliciumwaferen er ren, er næste trin at markere skærelinjen nøjagtigt. Det er afgørende at bestemme de ønskede dimensioner, før skærelinjen markeres.
Trin 3: Påføring af skæreopløsningen
Efter markering af skærelinjen er det vigtigt at anvende en skæreopløsning for at lette skæreprocessen. Skæreopløsningen fungerer som smøremiddel og kølemiddel, hvilket reducerer friktion og varme under skæring. Valget af den passende skæreløsning afhænger af typen af siliciumwafer og den anvendte skæremetode.
Trin 4: Brug af skæremaskinen
Nu er det tid til at bruge skæremaskinen til at skære siliciumwaferen langs den markerede skærelinje. Sikker betjening af skæremaskinen er afgørende for at undgå ulykker og sikre præcise snit.
Trin 5: Inspicering af den udskårne siliciumwafer
Efter at have skåret siliciumwaferen, er det vigtigt at inspicere det for eventuelle defekter eller uregelmæssigheder. Kontrol for defekter sikrer kvaliteten af snittet og hjælper med at identificere eventuelle problemer, der skal løses. Her er nogle inspektionspunkter:
Brug et mikroskop eller forstørrelsesglas til at undersøge den afskårne kant for eventuelle revner, skår eller ruhed.
Mål dimensionerne af den skårne siliciumwafer for at sikre, at de matcher de ønskede specifikationer.
Sådan vedligeholdes siliciumwafer
En af de største udfordringer i halvlederfremstillingsindustrien er overfladeforurening af siliciumwafers. Oftest bliver siliciumwafers forurenet blot fra eksponering for luften, som indeholder en høj grad af organiske partikelforureninger. Når først disse forurenende stoffer kommer ind i waferen, er de ikke nemme at fjerne på grund af waferens skrøbelige natur. Derfor er der en specifik måde, hvorpå producenterne renser skiverne.
Første trin: Rens med opløsningsmiddel
Opløsningsmidler bruges til med succes at fjerne olier og organiske rester fra overfladen af siliciumwafers. Mens opløsningsmidlet fjerner forureningen, efterlader de også deres egne rester på overfladen af waferen. Derfor bruges en to-opløsningsmiddelmetode for at sikre, at waferen er så ren som muligt.
Andet trin: RCA-1 Rengøring
Eventuelle rester, der er tilbage fra opløsningsmidlet, tages hånd om med en RCA-rens. RCA clean oxiderer siliciumet og giver således et tyndt beskyttende lag af oxid til overfladen af waferen.
Tredje trin: Hydrofluoric Acid Dip
Det sidste trin er en flussyredip. En HF-dip bruges til at fjerne siliciumdioxid fra siliciumwaferoverfladen. HF er et meget farligt kemikalie, så det er vigtigt, at dette trin udføres, mens du bærer beskyttelsesudstyr såsom tunge handsker og briller.
Hvad adskiller dopede siliciumwafers fra andre?
Wafers med usædvanlige former er skabt ved hjælp af doteret silicium. Disse wafers er lavet ved at belægge en siliciumwafer med en oxid nedenunder og et tyndt lag aluminiumoxid, hvis en smule silicium opvarmes i cirka fem minutter ved 900 grader i et iltrigt- miljø.
På grund af de defekter, der opstår under siliciumfremstillingsprocessen, kan silicium bruges som varmekilde. Det særlige ved dopede siliciumwafers er, at de indeholder et eller flere "doteringsatomer". Hydrogen- eller boratomer er blevet tilføjet for at forbedre egenskaberne af aluminiumoxidlaget, der er lagt oven på siliciumsubstratet.
Disse stoffer er halvledere og kan fungere som isolatorer eller ledere, når elektricitet passerer gennem dem. For eksempel er lysdetektorer og fotovoltaiske solceller lavet af doterede halvledere implanteret med siliciumdioxidskiver. Disse materialer skaber også dopede siliciumskiver til forskellige anvendelser udover solceller.
Vores fabrik
Vores specialisering i specialfremstillede-siliciumwafers, frøkrystaller, siliciummål og afstandsstykker giver os mulighed for at opfylde forskellige behov på tværs af halvleder- og solcelleindustrien. Vores forpligtelse til at levere personlige tjenester gør det muligt for vores kunder at nå deres specifikke projektmål med præcision og effektivitet.
FAQ
Som en af de mest professionelle producenter og leverandører af siliciumwafer i Kina er vi kendetegnet ved kvalitetsprodukter og konkurrencedygtige priser. Vær sikker på at købe billig siliciumwafer fra vores fabrik. Kontakt os for tilpasset service og OEM-service.
