Silicium wafer produktion

Produktionsproces for siliciumwafer

Vi leverer siliciumwafers af høj-kvalitet, der understøtter halvlederindustrien på forkant. Råvarer med det højeste kvalitetsniveau anvendes som siliciumwafermateriale. Vaflerne er produceret under den strengeste kvalitetskontrol for at skabe produkter, der opfylder kundernes behov på alle mulige måder.

Lavet af de fineste råvarer, for kvalitet, der kan regne med

Monokrystallinsk barre

De siliciumwafers, der leveres af os, er lavet af monokrystallinske siliciumbarrer med høj-renhed, produceret ved hjælp af Czochralski (CZ) krystalvækstprocessen. Ingots op til 300 mm i diameter er fremstillet under strenge kvalitetskontrolstandarder.

Hvis kunderne kræver det, bruger vi også den magnetiske Czochralski-metode (MCZ), som involverer påføring af et stærkt magnetisk felt på det smeltede silicium, eller Float-Zone-metoden (FZ), hvor monokrystallinske barrer dyrkes ved lave oxygenniveauer uden brug af en kvartsdigel.

En monokrystallinsk barre skæres i skiver på ca. 1 mm tykke, med overfladerne poleret til en spejllignende finish. Som et resultat er vaflerne utrolig flade og rene. SUMCO kan også inkorporere gettering-egenskaber i waferen, som hjælper med at fange tungmetalurenheder, som ellers kunne forringe de elektriske egenskaber.

En poleret wafer gennemgår højtemperaturudglødning i en atmosfære af brint eller argon, hvilket fjerner oxygen nær waferoverfladen. Den resulterende wafer har forbedret krystal perfektion.

For overlegen kvalitet

Overfladelaget af den polerede wafer er dannet af monokrystallinsk silicium ved hjælp af dampfasevækst eller epitaksi.

For det første bruges kundens design til at skabe et indlejringslag til integrerede kredsløb på waferens overflade ved at bruge teknikker som fotolitografi, ionimplantation og termisk diffusion. Dernæst dannes et epitaksielt lag oven på dette lag.

Et oxidlag med fremragende elektrisk isoleringsegenskaber placeres mellem to polerede wafers, som derefter bindes sammen. Denne bindingsproces gør det muligt at skabe enheder med høj integration, lavt strømforbrug, høj hastighed og enestående pålidelighed. Derudover kan der dannes et diffusionslag af arsen (As) eller antimon (Sb) i det aktive lag ved waferoverfladen.

På kundeønske kan brugte wafers tages tilbage og genbruges til genbrug.

Wafertyper og specifikationer